2018年高考化学总复习 课时跟踪检测 三十六　晶体结构与性质 Word版含答案.doc

由莲山课件提供http://www.5ykj.com/ 资源全部免费 课时跟踪检测三十六　晶体结构与性质 ‎(时间：45分钟　满分：100分)‎ 一、选择题 (每小题6分，共36分)‎ ‎1．(2017届温州市联考)氮氧化铝(AlON)属原子晶体，是一种超强透明材料，下列描述错误的是(　　)‎ A．AlON和石英的化学键类型相同 B．AlON和石英晶体类型相同 C．AlON和Al2O3的化学键类型不同 D．AlON和Al2O3晶体类型相同 解析：氮氧化铝(AlON)与石英均为原子晶体，所含化学键均为共价键；Al2O3为离子晶体，所含化学键为离子键，D项错误。‎ 答案：D ‎2．金属晶体、离子晶体、分子晶体和原子晶体的根本区别是(　　)‎ A．基本构成微粒和微粒间的作用力不同 B．外部形状不同 C．金属晶体和原子晶体属于单质，分子晶体和离子晶体属于化合物 D．基本构成微粒做周期性重复排列所遵循的规律不同 解析：晶体之所以被分成不同的晶体类型，关键是根据构成晶体的粒子及粒子之间的作用力的不同，金属晶体的构成微粒是金属阳离子和自由电子，作用力是金属键；离子晶体的构成微粒是离子，作用力是离子键；原子晶体的构成微粒是原子，作用力是共价键；分子晶体的构成微粒是分子，作用力是分子间作用力，故选A项。‎ 答案：A ‎3．(2017届南充诊断)下表所列物质晶体的类型全部正确的一组是(　　)‎ 原子晶体 离子晶体 分子晶体 A 氮化硅 磷酸 单质硫 B 单晶硅 氯化铝 白磷 C 金刚石 烧碱 冰 D 铁 尿素 冰醋酸 解析：A项，磷酸属于分子晶体；B项，氯化铝属于分子晶体；D项，铁属于金属晶体，尿素属于分子晶体。‎ 答案：C ‎4．有四种不同堆积方式的金属晶体的晶胞如图所示，有关说法正确的是(　　)‎ 由莲山课件提供http://www.5ykj.com/ 资源全部免费 由莲山课件提供http://www.5ykj.com/ 资源全部免费 A．①为简单立方堆积，②为六方最密堆积，③为体心立方堆积，④为面心立方最密堆积 B．每个晶胞含有的原子数分别为：①1个，②2个，③2个，④4个 C．晶胞中原子的配位数分别为：①6，②8，③8，④12‎ D．空间利用率的大小关系为：①NaBr>NaI，D项错误。‎ 答案：D ‎6．高温下，超氧化钾晶体(KO2)呈立方体结构。如图为超氧化钾晶体的一个晶胞(晶体中最小的重复单元)。则下列有关说法正确的是(　　)‎ A．与K＋最近且距离相等的K＋有6个 B．超氧化钾的化学式为KO2，每个晶胞含有1个K＋和1个O 由莲山课件提供http://www.5ykj.com/ 资源全部免费 由莲山课件提供http://www.5ykj.com/ 资源全部免费 C．晶体中与每个K＋距离最近的O有6个 D．晶体中，所有原子之间都以离子键相结合 解析：根据题给信息，超氧化钾晶体是面心立方晶体，超氧化钾晶体(KO2)是离子化合物，阴、阳离子分别为O、K＋，晶体中K＋与O间形成离子键，O中O—O键为共价键。作为面心立方晶体，每个晶胞中含有K＋：8×＋×6＝4(个)，O：1＋×12＝4(个)，晶胞中与每个K＋距离相等且最近的O有6个，最近且距离相等的K＋有12个。‎ 答案：C 二、非选择题(共64分)‎ ‎7．(15分)(2016年全国卷Ⅲ)砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：‎ ‎(1)写出基态As原子的核外电子排布式：________。‎ ‎(2)根据元素周期律，原子半径Ga________As，第一电离能Ga________As。(填“大于”或“小于”)‎ ‎(3)AsCl3分子的立体构型为________，其中As的杂化轨道类型为________。‎ ‎(4)GaF3的熔点高于1 ‎000 ℃‎，GaCl3的熔点为‎77.9 ℃‎，其原因是_______________。‎ ‎(5)GaAs的熔点为1 ‎238 ℃‎，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为________。‎ 解析：(1)由As位于第四周期第ⅤA族，类比P的核外电子排布式可知基态As原子的核外电子排布式为[Ar]3d104s24p3或1s22s22p63s23p63d104s24p3。(2)Ga位于第四周期第ⅢA族，而As位于第四周期第ⅤA族，同周期主族元素的原子半径随核电荷数增大而减小，故原子半径：Ga>As；同周期元素随原子序数的增大，第一电离能呈增大的趋势，因As的4p轨道处于半充满的稳定状态，其第一电离能比同周期相邻元素的大，故第一电离能：Ga”“